微電子器件物理第九章測試題
問題：
1．例舉出芯片廠中6個不同的生產區域并對每一個生產區域做簡單描述。（20分）
2．離子注入前一般需要先生長氧化層，其目的是什么？（10分）
3．離子注入后為什么要進行退火？（10分）
4．光刻和刻蝕的目的是什么？（20分）
5．為什么要采用LDD工藝？它是如何減小溝道漏電流的？（10分）
6．為什么晶體管柵結構的形成是非常關鍵的工藝？更小的柵長會引發什么問題？（10分）
7、描述金屬復合層中用到的材料？(10分)
8、STI隔離技術中，為什么采用干法離子刻蝕形成槽？(10分)
答案：
1.答：芯片廠中通常分為擴散區、光刻區、刻蝕區、離子注入區、薄膜生長區和拋光區6個生產區域：
① 擴散區是進行高溫工藝及薄膜積淀的區域，主要設備是高溫爐和濕法清洗設備；
②光刻區是芯片制造的心臟區域，使用黃色熒光管照明，目的是將電路圖形轉移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上；
③刻蝕工藝是在硅片上沒有光刻膠保護的地方留下永久的圖形；
④離子注入是用高壓和磁場來控制和加速帶著要摻雜的雜質的氣體；高能雜質離子穿透涂膠硅片的表面，形成目標硅片；
⑤薄膜生長主要負責生產各個步驟中的介質層與金屬層的淀積。
⑥拋光，即CMP（化學機械平坦化）工藝的目的是使硅片表面平坦化
2.答：氧化層保護表面免污染，免注入損傷，控制注入溫度
3.推進，激活雜質，修復損傷。
4.光刻的目的是將電路圖形轉移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上，而刻蝕的目的是在硅片上無光刻膠保護的地方留下永久的圖形。即將圖形轉移到硅片表面
5.溝道長度的縮短增加了源漏穿通的可能性，將引起不需要的漏電流，所以需要采用LDD工藝。輕摻雜漏注入使砷和BF2這些較大質量的摻雜材料使硅片的上表面成為非晶態。大質量材料和表面非晶態的結合有助于維持淺結，從而減少源漏間的溝道漏電流效應
6.因為它包括了最薄的柵氧化層的熱生長以及多晶硅柵的`刻印和刻蝕，而后者是整個集成電路工藝中物理尺度最小的結構。多晶硅柵的寬度通常是整個硅片上最關鍵的CD線寬。隨著柵的寬度不斷減少，柵結構（源漏間的硅區域）下的溝道長度也不斷減少。晶體管中溝道長度的減少增加了源漏間電荷穿通的可能性，并引起了不希望的溝道漏電流。
7.
（1）淀積Ti，使鎢塞和下一層金屬良好鍵合，層間介質良好鍵合；
（2）Al,Au合金，加入銅抗電遷移
（3）TiN作為下一次光刻的抗反射層
8.采用干法刻蝕，是為了保證深寬比
【微電子器件物理第九章測試題】相關文章：
《微電子器件》教學中的模擬與設計論文01-11
初中物理測試題03-15
初中物理第九章《電功》說課稿02-14
物理初中測試題及答案04-03
物理試卷測試題參考06-12
初三物理測試題06-11
初二物理測試題06-11
初中物理測試題及答案04-03